A IBM desenvolveu uma tecnologia que permite a criação de memórias até 50 vezes mais rápidas do que as atuais, construídas em torno da tecnologia flash usada em pendrives, SSDs, cartões de memória e módulos de RAM, por exemplo. Batizado de PCM (sigla em inglês para “memória de mudança de fase”), o projeto pode fazer com que os dispositivos de armazenamento também fiquem mais resistentes.
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Em uma comparação rápida, a vida útil de um pendrive pode durar por volta de 3 mil ciclos. Com o PCM a resistência passa para até 10 milhões de ciclos de escrita nas células. A expectativa é de que os produtos comecem a ganhar espaço em data-centers antes de chegar ao consumidor comum.
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A tecnologia da IBM funciona mudando as propriedades de uma substância de uma condição amorfa para cristalina a partir da passagem de corrente elétrica (daí a ideia de “mudança de fase” usada no nome da tecnologia). A diferença de estado é usada para ler o 0 ou 1 do código binário, usado por computadores para os dados armazenados em qualquer mídia.
De acordo com as informações levantadas pela IBM, o PCM pode atingir maior densidade, já que uma única célula pode reter três bits. O aumento de capacidade representa um salto de 50% sobre a primeira versão da tecnologia, demonstrada em 2011. Nesse sentido, significa dizer que dispositivos de memória feitos sob esses parâmetros podem ser menores e mais baratos do que equivalentes feitos a partir da ideia de NAND flash.
Outro ponto extremamente positivo da tecnologia ótica é a velocidade. Segundo os estudos da empresa, um módulo PCM responde a uma requisição por dados em menos de 1 microssegundo, enquanto que um módulo de memória RAM, por exemplo, atinge 70 microssegundos, na me
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